Модель диода Ганна

Программа моделирования работы диода Ганна в одномерном приближении. Была написана в 2002 году для бакалаврской работы. Поскольку периодически вызывает интерес, и я так же периодически вынужден разыскивать её среди нагромождения своих доисторических проектов (с риском однажды не найти), выкладываю на сайт.

Пригодится для демонстрации студентам «вживую» пролетного режима диода Ганна, процессов формирования доменной неустойчивости, влияния профиля легирования, некоторых параметров полупроводникового материала и т. п. Не забывайте о применимости данной модели: напряженность поля не должна превышать 100 кВ/см, а длина образца — не менее 5 мкм (для арсенида галлия с концентрацией доноров порядка 10^14 см^-3).

Приближение одномерное, модель локально-полевая (система уравнений Пуассона и непрерывности для электронов), дискретизация по трехточечному шаблону, схема неявная, решение методом прогонок (читайте Самарского и Тихонова). В основе программы лежат исследования Прохорова Э.Д. и Боцулы О.В.

Используйте по своему усмотрению, и не сочтите за труд ссылаться на источник (http://cpp.in.ua/2009/12/model-dioda-ganna/).

Модель диода Ганна: 2 комментария

    1. Да, моя квалификационная работа бакалавра. Но выкладывать её для передирания нерадивыми студентами (аспирантами, докторантами) пока что не намерен. Думаю, работающей программы с полным исходным кодом более чем достаточно для понимания человека разумного, ведь была написана студентом 4го курса радиофизического факультета, где программированию особо-то и не учат. 😉

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

*